High Voltage Optically Isolated Probes 高壓光隔離探棒

頻寬: HVFO:150 MHz、DL-ISO:350 MHz、700 MHz、1 GHz
HVFO108(150MHz)
DL03-ISO(350MHz)
DL07-ISO(700MHz)
DL10-ISO (1GHz)
DL-ISO Datasheet‌DL-ISO Manuals‌HVFO Datasheet‌HVFO Manuals‌
 DL03-ISO、DL07-ISO、DL10-ISOHVFO108
頻寬350Mz、700MHz、1 GHz150MHz
輸入電壓範圍2-2500V2-40V
共模範圍60kV35kV
直流精度1.5%2.5%
理想應用GaN/SiCSi

 

DL-ISO 具備極高精確度、絕佳訊號完整性與全方位連接性，能為 GaN 與 SiC 元件特性分析提供最具信賴度的測試結果。

GaN 與 SiC 測試的絕佳探棒選擇
DL-ISO 隔離探棒具備 1 GHz 頻寬、2500 V 差模輸入範圍以及 60 kV 共模電壓能力，是 GaN 與 SiC 元件特性分析及系統開發工程師的完美首選。

最高精確度 [與業界領先的 12-bit 高解析度示波器 (HDO) 結合]

  • 最佳系統精確度達 1.5%，幾乎是市面上其他替代方案的兩倍。                                                                                                                      
  • 具備 160 dB 高共模抑制比 (CMRR)，提供卓越的雜訊抑制能力。                                                                                                              
  • 在 12-bit 高解析度示波器上進行精準增益校正 (Gain Calibration)，可獲得最佳量測結果。                                                                               

最佳訊號無整度(不失真)

在量測過程中，要獲得最真實的訊號呈現有時非常困難。DL-ISO 藉由提供業界最佳的訊號真實性克服了這項挑戰，其具備最快的上升時間、最低的過衝以及低受測元件（DUT）負載。

  • 最真實的訊號呈現
  • 低探棒負載與極低的過衝
  • 最快的上升時間 (435 ps) —— 非常適合捕捉高 dV/dt 的 GaN 與 SiC 波形

 

全面的連接性

DL-ISO 探棒採用高品質的同軸衰減接頭，可抑制不必要的雜訊，並使用業界標準的 MMCX 接頭或高壓安全方形排針連接至測試板，藉此提升量測信賴度。

  • 使用業界標準的 MMCX 接頭，輕鬆與測試板進行連接
  • 使用相容的方形排針，安全地連接至 1000 V 和 2500 V 高壓環境
  • 藉由高品質的同軸導線，提升 EMI/RF 抗擾度並減少空間雜訊耦合

 

彈性的電路板內除錯

  • 適用於 DC 匯流排 (DC Bus)、元件（Vgs 與 Vds）以及變流器輸出量測的萬用探棒
  • 具備大共模電壓與寬差模擺幅，可處理極高的 DC 匯流排電壓
  • Device-Power 軟體可自動計算 JEDEC 所定義的各種元件損耗
 

 

 

ModelBandwidthInput voltage rangeIdeal forCommon Mode RangeDC Accuracy
DL03-ISO 350 MHz

2 - 2500 V

*with different attenuating tips

 

GaN/SiC ±60 kV (DC+Peak AC)1.5%
DL07-ISO700 MHz
DL10-ISO1 GHz
HVFO108150 MHz 2-40 VSi±35 kV (DC+Peak AC)2.5%

*

Atteunating Tip 

for DLXX-ISO


Maximum Non-destruct Voltage
(DC+Peak AC)


Offset

CMRR 
DC1 MHz100 MHz200 MHz500 MHz1 GHz
DL-ISO-2V-TIP50 V ±25 V 160 dB 110 dB 90 dB 90 dB 80 dB 75 dB
DL-ISO-10V-TIP100 V±50 V 160 dB 100 dB 75 dB 75 dB 65 dB65 dB
DL-ISO-40V-TIP250 V ±150 V 150 dB100 dB 70 dB 60 dB 60 dB50 dB
DL-ISO-200V-TIP300 V±150 V 140 dB95 dB 55 dB 50 dB45 dB 35 dB
DL-ISO-1000V-TIP1,250 V±1000 V 125 dB85 dB 30 dB 35 dB 25 dB20 dB
DL-ISO-2500V-TIP 3,300 V±2500 V 115 dB80 dB25 dB 30 dB 25 dB 15 dB

 

CMRR
Model100 Hz1 MHz10 MHz60 MHz100 MHz
HVFO108140 dB120 dB85 dB60 dB35 dB
 DL03-ISO、DL07-ISO、DL10-ISOHVFO108
頻寬350Mz、700MHz、1 GHz150MHz
輸入電壓範圍2-2500V2-40V
共模範圍60kV35kV
直流精度1.5%2.5%
理想應用GaN/SiCSi

HVFO108 Key Features

  • 150 MHz 頻寬
  • 35 kV 共模電壓額定值
  • 適用於碳化矽 (SiC)
  • 優異的雜訊抑制能力
  • 140 dB 共模抑制比 (CMRR)
  • 低迴路電感
  • 低衰減
  • 降低被測元件 (DUT) 負載：與傳統高壓差分探棒相比，具有更好的脈衝響應
  • 可選探頭：範圍支援 +/-1V 至 +/-40V

適用於碳化矽 (Silicon Carbide Suitable) 

全新推出具有 150 MHz 頻寬的 HVFO108，非常適合用於設計矽（Silicon）與碳化矽（Silicon Carbide）元件的元件研發工程師，以及將碳化矽元件整合至系統中的系統開發工程師。

                                                                       

 

高側閘極驅動訊號量測 (High-side Gate Drive Signal Measurements)

HVFO108 能忠實重現高側閘極驅動訊號，且不產生負載效應與訊號失真，讓您能清晰觀測米勒效應 (Miller effect)。傳統的高壓差分探棒由於具有高接腳電容（CGE or CGS），或具備高阻抗與大迴路電感（與閘極驅動阻抗串聯），在最好的情況下會對閘極驅動訊號造成負載效應或引入干擾，最壞的情況下甚至會導致電路異常動作。相比之下，HVFO108 在進行此類量測時的表現遠比傳統探棒更為優異。

浮動控制或感測器訊號量測(Floating Control or Sensor Signal Measurements)

HVFO108 僅透過其高阻抗輸入導線來量測低壓感測器電壓。待測物（DUT）承受的總負載非常小。此外，低導線迴路電感、大於 100dB 的共模抑制比（CMRR）以及低衰減特性，提供了卓越的訊號完整性與雜訊抑制能力

 
 
EMC、EFT、ESD 與 RF 抗擾度測試與系統最佳化(EMC, EFT, ESD and RF Immunity Testing and System Optimization)

不論是處於高壓浮動狀態、或存在 EMC 干擾訊號的 AC 與 DC 感測器訊號，皆能以高訊號完整性進行擷取，並與電路內及控制端的動作進行正確的對照。

光纖隔離是最佳選擇

探棒頭與示波器輸入端之間的光纖隔離，能減少對待測物（DUT）的不良負載效應、提供忠實的脈衝響應，並提升量測信賴度。這不僅能確保對抗危險高電壓時的安全性，還能避免示波器發生不安全的「浮接」情況。

優異的雜訊抑制能力

即使在電路中其他地方存在高 dV/dt 或 dA/dt 事件，高共模抑制比（140 dB CMRR）也能提供更精確的受測訊號還原。測試導線經過最佳化設計，可限制迴路電感並減少輻射雜訊耦合。探棒頭衰減比例也經過最佳化，能滿足廣泛的訊號振幅範圍。

加入詢價單機型敘述備註
DL03-ISO 350MHz 高壓光隔離探棒, High CMRR - 160 dB 探頭需分開選購